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2EDF7275K

快速、耐用、双通道、具备功能性和增强型隔离的MOSFET栅极驱动器，具备精确稳定的时序

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描述: 是一系列快速双通道隔离式MOSFET栅极驱动器IC，通过无芯变压器（CT）技术提供功能（2EDFx）或加强（2EDSx）输入到输出隔离。由于具有高驱动电流、出色的共模抑制和快速信号传播能力，特别适合在快速开关电源系统中驱动中高压MOSFET（CoolMOS、OptiMOS、CoolSIC）。专为具有MOSFET开关的快速开关、中高功率系统而设计。针对温度和生产分散性进行了高定时精度优化。可靠准确的定时简化了系统设计，并提供了更好的功率转换效率。2EDSx、2EDFx双通道加强（安全）和功能隔离产品变体具有不同的驱动强度：4 A/8 A适用于低阻功率MOSFET，1 A/2 A适用于较高Ron的MOSFET或较慢的开关瞬变（EMI）
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: 2EDF7275K
商品编号: C2975252
商品封装: TFLGA-13
包装方式: 编带
商品毛重: 0.15克(g)

商品参数

商品概述

EiceDRIVER™ 2EDi 是一系列快速双通道隔离式 MOSFET 栅极驱动 IC，通过无芯变压器 (CT) 技术提供功能隔离 (2EDFx) 或加强隔离 (2EDSx) 的输入 - 输出隔离。由于具有高驱动电流、出色的共模抑制能力和快速的信号传播速度，2EDi 特别适合在快速开关电源系统中驱动中高压 MOSFET（CoolMOS™、OptiMOS™、CoolSIC™）。 EiceDRIVER™ 2EDi 产品系列的栅极驱动器专为采用 MOSFET 开关的快速开关中高功率系统而设计。它们针对温度和生产差异下的高定时精度进行了优化。可靠准确的定时简化了系统设计，并提供了更高的功率转换效率。 2EDSx、2EDFx 双通道加强（安全）和功能隔离产品变体有不同的驱动强度可供选择：适用于低欧姆功率 MOSFET 的 4 A/8 A，适用于较高导通电阻 MOSFET 或较慢开关瞬态（EMI）的 1 A/2 A。1 A/2 A 加强隔离驱动器还可与非隔离升压栅极驱动器（如紧邻超结功率开关放置的 1EDNx 4 A/8 A）结合用作 PWM 数据耦合器。两个独立且电气隔离的栅极驱动通道确保所有 2EDi 版本可用于低侧和高侧开关的任何可能配置。最小 150 V/ns 的共模瞬态抗扰度 (CMTI)、带有 18 ns 噪声滤波器的 PWM 输入、输出侧的欠压锁定 (UVLO)（包括输入欠压锁定（VDDI < 3 V）时驱动器输出的安全自锁）、具有高达 5 A 峰值反向电流能力的 PWM 输出以及本质上稳健的栅极驱动器设计，支持提高系统的稳健性。

商品特性

4 A / 8 A 或 1 A / 2 A 源极/漏极输出电流
高达 10 MHz 的 PWM 开关频率
PWM 信号传播延迟典型值为 37 ns，其中
- 通道间失配为 3 ns
- 传播延迟变化为 +7/-6 ns
电阻可编程死区时间控制 (DTC)，范围从 15 ns 到 250 ns
共模瞬态抗扰度 CMTI > 150 V/ns
输入侧欠压锁定 (UVLO) 时快速安全关断
输出电源电压为 4.5 V 至 20 V，欠压锁定阈值为 4 V 或 8 V
宽温度工作范围 T_J = -40℃ 至 +150℃
符合 RoHS 标准的宽/窄体 (WB/NB) DSO16 和 5 mm x 5 mm LGA 封装
完全符合 JEDEC 工业应用标准

应用领域

服务器、电信和工业开关电源
同步整流、模块电源、UPS 和电池储能
电动汽车充电
工业自动化、电机驱动和电动工具

数据手册PDF

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优惠活动

购买数量

(4000个/圆盘，最小起订量 1 个)

个

起订量：1 个4000个/圆盘

近期成交13单

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	8A
	拉电流(IOH)	4A
	工作电压	4.5V~20V

	属性	参数值
	上升时间(tr)	6.5ns
	下降时间(tf)	4.5ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃@(Ta)
	输入高电平(VIH)	1.7V~2.3V
	静态电流(Iq)	1.4mA