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HY4004A
N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:40V 电流:208A
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- 描述
- 特性：40V/208A，RDS(ON) = 2.4 mΩ（典型值）@ VGS = 10 V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 无卤环保器件（符合RoHS标准）。应用：逆变器系统的电源管理
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HY4004A
- 商品编号
- C2974611
- 商品封装
- TO-3P-3
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 7.124克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 208A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 268W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 158nC | |
| 输入电容(Ciss) | 5.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 596pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 40V/208A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) = 2.4 mΩ(典型值)
- 100%雪崩测试
- 可靠耐用
- 提供无卤环保器件(符合RoHS标准)
应用领域
- 逆变器系统电源管理。