商品参数
参数完善中
商品概述
这些器件是采用第二代 MDmesh 技术开发的 N 沟道功率 MOSFET。这种革命性的功率 MOSFET 将垂直结构与条形布局相结合,实现了极低的导通电阻和栅极电荷。因此,它适用于要求极高的高效转换器。
商品特性
- 100% 雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
应用领域
-开关应用
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这些器件是采用第二代 MDmesh 技术开发的 N 沟道功率 MOSFET。这种革命性的功率 MOSFET 将垂直结构与条形布局相结合,实现了极低的导通电阻和栅极电荷。因此,它适用于要求极高的高效转换器。
-开关应用