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RQ5C030TPTL实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

RQ5C030TPTL

P沟道,电流:±3A,耐压:-20V

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描述
特性:低导通电阻。 内置G-S保护二极管。 小表面贴装封装(TSMT3)。 无铅镀层;符合RoHS标准。应用:负载开关
品牌名称
ROHM(罗姆)
商品型号
RQ5C030TPTL
商品编号
C2974204
商品封装
SC-96​
包装方式
编带
商品毛重
0.025克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)3A
导通电阻(RDS(on))75mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1W
阈值电压(Vgs(th))2V@1mA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)9.3nC@4.5V
输入电容(Ciss)840pF
反向传输电容(Crss)100pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)140pF

商品特性

  • 先进的高单元密度沟槽技术
  • 低导通电阻RDS(ON),以最大限度降低传导损耗
  • 低栅极电荷,实现快速开关
  • 低热阻

应用领域

  • 主板/显卡核心电压
  • 开关电源二次侧同步整流器
  • 负载点应用
  • 无刷直流电机驱动器

数据手册PDF