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DMN33D8LT-7
1个N沟道 耐压:30V 电流:200mA
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- 描述
- 新一代MOSFET经过设计，可在保持卓越开关性能的同时，将导通电阻 (RDS(ON)) 降至最低，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN33D8LT-7
- 商品编号
- C2974173
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7Ω@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@100uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 48pF@5V | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF@5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- N沟道MOSFET-低导通电阻-低输入电容-快速开关速度-小型表面贴装封装-栅极ESD保护2kV-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件-该器件符合JEDEC标准(如AEC-Q中引用),具备高可靠性-另有符合汽车标准的型号(DMN33D8LTQ),其数据手册单独提供
应用领域
- DC-DC转换器-电源管理功能-电池供电系统和固态继电器-驱动器:继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等