商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字隔离器 | |
| 正向通道数 | 2 | |
| 反向通道数 | 0 | |
| 最大数据速率 | 50Mbps | |
| 默认输出 | 低电平 | |
| 隔离电压(Vrms) | 2000 | |
| CMTI(kV/us) | 150kV/us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟(tpd) | 11ns | |
| 功能特性 | 失效安全输出 | |
| 工作电压(VCCA) | 1.71V~5.5V | |
| 工作电压(VCCB) | 1.71V~5.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 通道数 | 2 |
商品概述
ISO652x器件是高性能双通道功能隔离器,专为对成本敏感、空间受限的有非安全应用隔离需求的场景设计。隔离屏障支持450 V RMS/637 V DC工作电压,以及2000 V RMS/2828 V DC瞬态过电压。该器件在隔离CMOS或LVCMOS数字I/O的同时,可提供高电磁抗扰度和低辐射,且功耗较低。每个隔离通道都有一个逻辑输入和输出缓冲器,由TI的双层二氧化硅(SiO2)绝缘屏障隔开。ISO6520拥有两个同方向的隔离通道,ISO6521拥有两个方向各一个的隔离通道。若发生输入电源或信号丢失,不带后缀F的器件默认输出高电平,带后缀F的器件默认输出低电平。该器件有助于防止UART、SPI、RS-485、RS-232、CAN等数据总线上的噪声电流损坏敏感电路。通过芯片设计和布局技术,器件的电磁兼容性得到显著提升,可简化系统级ESD和辐射合规。
商品特性
- 双通道,CMOS输出功能隔离器
- 50Mbps数据速率
- 坚固的SiO2隔离屏障,典型共模瞬态抗扰度为±150kV/μs
- 8-REU和8-D两种封装的功能隔离等级均支持:450 V RMS、637 V DC工作电压,2000 V RMS、2828 V DC瞬态电压(60s)
- 紧凑型8-REU封装,爬电距离大于2.2mm
- 宽电源范围:支持1.71V至1.89V和2.25V至5.5V,可实现1.71V至5.5V电平转换
- 可选择默认输出高电平(ISO652x)和默认输出低电平(ISO652xF)
- 宽工作温度范围:-40℃ 至 125℃
- 3.3V 1Mbps条件下,典型值为每通道1.8mA
- 低传播延迟:3.3V条件下典型值为11ns
- 稳健的电磁兼容性(EMC)
- 系统级ESD、EFT和浪涌抗扰度
- 超低辐射
- 提供无引线DFN(8-REU)封装和窄体SOIC(8-D)封装选项
应用领域
- 电源
- 电网、电表
- 电机驱动
- 工厂自动化
- 楼宇自动化
- 照明
- 家用电器


