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STL8DN10LF3
2个N沟道 耐压:100V 电流:20A
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- 描述
- 汽车级双路N沟道100 V、25 mOhm典型值、7.8 A STripFET F3功率MOSFET，PowerFLAT 5x6双岛封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL8DN10LF3
- 商品编号
- C2971879
- 商品封装
- VDFN-8-Power
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 970pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
商品概述
该器件是采用STripFETTM F3技术开发的N沟道功率MOSFET。其设计旨在最大限度地降低导通电阻和栅极电荷,以提供卓越的开关性能。
商品特性
- 专为汽车应用设计,符合AEC-Q101标准
- 逻辑电平VGS(th)
- 最高结温175 °C
- 100%雪崩额定
- 可焊侧翼封装
应用领域
- 开关应用
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