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LMG3616REQR
集成驱动器的GaN功率FET
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- LMG3616REQR
- 商品编号
- C31886190
- 商品封装
- VQFN-38(5.3x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 3.78克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 22.1pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 270mΩ |