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HY3215W

N通道增强型MOSFET 1个N沟道耐压:150V 电流:130A

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描述: 特性：150V/130A，RDS(ON) = 11.5mΩ（典型值）@VGS = 10V。 100%雪崩测试。可靠耐用。有不含卤素的环保器件（符合RoHS标准）。应用：无刷电机驱动。电动助力转向
品牌名称: HUAYI(华羿微)
商品型号: HY3215W
商品编号: C2965569
商品封装: TO-247A-3L
包装方式: 管装
商品毛重: 0.73克(g)

商品参数

该器件是一款采用STripFET™ F6技术开发的P沟道功率MOSFET，具有新型沟槽栅极结构。由此产生的功率MOSFET在所有封装中均呈现出极低的导通电阻RDS(on)。