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TPH4R50ANH1,LQ(MW
N沟道MOS管
- 描述
- 特性：小型薄封装。 高速开关。 小栅极电荷：QSW = 22 nC（典型值）。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.7 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。 低泄漏电流：IHSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100 V)。 增强模式：Vth = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：DC-DC 转换器。 开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TPH4R50ANH1,LQ(MW
- 商品编号
- C31837493
- 商品封装
- SOP-8-EP-5.0mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.257172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 78W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@1.0mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 700pF |
商品特性
- 高速开关
- 低栅极电荷：QSW = 4.2 nC（典型值）
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 95 mΩ（典型值）（VGS = 10 V）
- 低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）（VDS = 250 V）
- 增强型：Vth = 2.0 至 4.0 V（VDS = 10 V，ID = 0.3 mA）
应用领域
- 高效 DC-DC 转换器
- 开关稳压器