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IPP041N12N3G
OptiMOs 3功率晶体管
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：N沟道，正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻（FOM）乘积。 极低的导通电阻RDS(on)。 工作温度175℃。 无铅镀铅；符合RoHS标准，无卤。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 适用于高频开关和同步整流
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPP041N12N3G
- 商品编号
- C2963045
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.94克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@270uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 158nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 61pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.32nF |
商品特性
- 高端开关
- 低导通电阻
- 低阈值
- 快速开关速度
应用领域
- 驱动器：继电器、螺线管、灯、锤击器、显示器、存储器
- 电池供电系统电源转换电路
- 负载/电源开关 手机、寻呼机