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RU20C10H
互补高级功率MOSFET N沟道+P沟道 耐压:20V 电流:10A
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- 品牌名称
- Ruichips(锐骏半导体)
- 商品型号
- RU20C10H
- 商品编号
- C2962875
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 10.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC | |
| 输入电容(Ciss) | 590pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
50N06D采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- N沟道
- 20V/10A
- 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) = 12mΩ(典型值)
- 当VGS = 2.5V时,RDS(ON) = 15mΩ(典型值)
- P沟道
- -20V/-10A
- 当VGS = -4.5V时,RDS(ON) = 20mΩ(典型值)
- 当VGS = -2.5V时,RDS(ON) = 30mΩ(典型值)
- 可靠耐用
- 提供无铅环保器件(符合RoHS标准)
应用领域
- 负载开关
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