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7N65F
1个N沟道 耐压:650V 电流:7A
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- 描述
- 1个N沟道 耐压:650V 电流:7A适用于电源开关和信号控制
- 品牌名称
- GOODWORK(固得沃克)
- 商品型号
- 7N65F
- 商品编号
- C2962213
- 商品封装
- ITO-220AB-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@10V,3.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 48W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.21nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品概述
该器件是一款采用第七代STripFET DeepGATE技术开发的N沟道功率MOSFET，具有全新的栅极结构。由此产生的功率MOSFET在所有封装中均呈现出最低的导通电阻RDS(on)。
商品特性
- 超低导通电阻
- 100%雪崩测试
应用领域
- 开关应用
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