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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CN3387

PFM升压型多节镍氢电池充电控制集成电路

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描述
CN3387是一款PFM升压型镍氢电池充电控制集成电路,可以对4节到12节镍氢电池进行充电管理。CN3387输入电压范围2.7V到6.5V,内部集成有基准电压源,电感电流检测单元,电池电压检测电路,输出过压保护电路,电池电压过低保护单元,控制单元和片外场效应晶体管驱动电路等,非常适合5V输入,为多节镍氢电池的充电控制应用,具有外部元件少,功能多,电路简单等优点。 当接入输入电源后,CN3387进入恒流充电状态,STAT管脚输出高电平,片外N沟道场效应晶体管导通,电感电流上升,输出电容中的能量转移到电池中。
商品型号
CN3387
商品编号
C2961778
商品封装
SSOP-10​
包装方式
编带
商品毛重
0.095克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录电池管理
芯片类型充电芯片
工作电压2.7V~6.5V
最大充电电流-
充电饱和电压1.205V
属性参数值
电池类型镍氢电池
电池节数4~12
工作温度-40℃~+85℃
0V电池充电不支持
静态电流(Iq)2uA

商品概述

CN3387是一款PFM升压型镍氢电池充电控制集成电路,可以对4节到12节镍氢电池进行充电管理。CN3387输入电压范围2.7V到6.5V,内部集成有基准电压源,电感电流检测单元,电池电压检测电路,输出过压保护电路,电池电压过低保护单元,控制单元和片外场效应晶体管驱动电路等,非常适合5V输入,为多节镍氢电池的充电控制应用,具有外部元件少,功能多,电路简单等优点。

当接入输入电源后,CN3387进入恒流充电状态,STAT管脚输出高电平,片外N沟道场效应晶体管导通,电感电流上升,输出电容中的能量转移到电池中。当电感电流上升到外部电流检测电阻设置的上限时,片外N沟道场效应晶体管截止,电感电流下降,电感中的能量转移到输出电容和电池中。当电感电流下降到外部电流检测电阻设置的下限时,片外N沟道场效应晶体管再次导通,如此循环。电池电压通过电阻分压网络反馈到CN3387的FB管脚,当FB管脚电压达到1.125V(典型值)时, CN3387进入维持充电状态,输入电流降低到恒流充电时的66%,同时启动内部定时电路。当内部定时结束或者FB管脚电压达到1.205V时,充电过程结束,片外N沟道MOSFET截止,CN3387进入充电结束状态,STAT管脚输出低电平。在充电结束状态,没有电流从输入端流向电池。当FB管脚电压下降到再充电阈值1.105V(典型值)时,CN3387再次进入充电状态。CN3387最高工作频率可达1MHz。

CN3387为升压型充电控制集成电路,正常情况下,电池电压高于输入电压。在某些情况下,如果电池电压低于输入电压,甚至电池短路,那么片外N沟道场效应晶体管关断时间延长,充电电流变小,对电池起到保护作用。

其他功能包括芯片使能输入端,电池端过压保护等。

商品特性

  • 当接入输入电源后,CN3387进入恒流充电状态,控制片外N沟道MOSFET导通,电感电流上升,当上升到外部电流检测电阻设置的上限时,片外N沟道MOSFET截止,电感电流下降,电感中的能量转移到电池中。当电感电流下降到外部电流检测电阻设置的下限时,片外N沟道MOSFET再次导通,如此循环。
  • 当FB管脚电压达到1.125V(典型值)时,CN3387进入维持充电模式,此时输入电流减小为恒流状态的66%,同时启动内部定时器。
  • 当内部定时结束或者FB管脚电压达到1.205V时,充电过程结束,片外N沟道MOSFET保持截止状态。
  • 当FB管脚电压下降到再充电阈值(1.105V)时,CN3387再次进入充电状态。
  • CN3387最高工作频率可达1MHz。
  • 工作温度范围从-40℃到 +85℃。
  • 当电池电压低于输入电压或电池短路时,CN3387在片外N沟道MOSFET和P沟道MOSFET的共同作用下,用较小电流继续对电池充电,对电池起到保护作用。
  • 其他功能包括芯片使能输入,状态指示输出端等。
  • CN3387采用10管脚的SSOP10封装。

应用领域

  • 独立镍氢电池充电器
  • 电动工具
  • 玩具
  • 适合太阳能供电应用

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优惠活动

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(4000个/圆盘,最小起订量 5 个)
起订量:5 个4000个/圆盘

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