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GD32F307RET6
GD32F307RET6
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- GigaDevice(兆易创新)
- 商品型号
- GD32F307RET6
- 商品编号
- C2961653
- 商品封装
- LQFP-64(10x10)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 2.35克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 单片机(MCU/MPU/SOC) | |
| CPU内核 | ARM Cortex-M4 | |
| CPU最大主频 | 120MHz | |
| 程序存储容量 | 512KB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 程序存储器类型 | FLASH | |
| I/O数量 | 51 | |
| ADC(位数) | 12bit | |
| DAC(位数) | 12bit |
商品特性
- SPI NOR Flash特性：
- 3.0V：
- 单电源供电，电压范围: 2.7V~3.6V
- 高速时钟频率，数据读取频率高达200MHz，双通道数据吞吐量高达332Mbit/s，四通道数据吞吐量高达664Mbit/s，双沿传输四通道数据吞吐量高达1600Mbit/s，双沿传输八通道数据吞吐量高达3200Mbit/s，连续读取8/16/32/64-Byte
- 灵活的存储结构，扇区大小: 4K Bytes，块大小: 32/64K Bytes
- 1.8V：
- 单电源供电，电压范围: 1.65V~2.0V
- 高速时钟频率，数据读取频率高达200MHz，双通道数据吞吐量高达332Mbit/s，四通道数据吞吐量高达664Mbit/s，QPI数据吞吐量高达664Mbit/s，双沿传输四通道数据吞吐量高达1600Mbit/s，双沿传输八通道数据吞吐量高达3200Mbit/s，连续读取8/16/32/64-Byte
- 灵活的存储结构，扇区大小: 4K Bytes，块大小: 32/64K Bytes
- 1.65V~3.6V：
- 单电源供电，电压范围: 1.65V~3.6V
- 高速时钟频率，数据读取频率高达104MHz，双通道数据吞吐量高达208Mbit/s，四通道数据吞吐量高达416Mbit/s，连续读取8/16/32/64-Byte
- 灵活的存储结构，扇区大小: 4K Bytes，块大小: 32/64K Bytes
- 3.0V：
- SPI NAND Flash特性：
- 3.3V：
- 供电电压：2.7V~3.6V
- 高速时钟频率，数据读取频率高达133MHZ，四通道数据吞吐量高达532Mbit/s
- 灵活的存储结构，2K Byte页读取写入大小，128K Byte块擦除大小
- 增强访问性能，提供2K Byte Cache空间随机读取
- SPI NAND先进特性，内置ECC算法，内部数据搬移，通过ECC确保Block0为出厂好块
- 1.8V：
- 供电电压：1.7V~2.0V
- 高速时钟频率，数据读取频率高达104MHZ，四通道数据吞吐量高达416Mbit/s
- 灵活的存储结构，2K Byte页读取写入大小，128K Byte块擦除大小
- 增强访问性能，提供2K Byte Cache空间随机读取
- SPI NAND先进特性，内置ECC算法，内部数据搬移，通过ECC确保Block0为出厂好块
- 3.3V：
- Parallel NAND Flash特性：
- 3.3V：
- 供电电压: 2.7V~3.6V
- 容量: 1Gb/2Gb/4Gb/8Gb
- 页大小：2K+64 Byte / 2K+128 Byte / 4K+256 Byte
- 页读取时间：25us
- I/O传输速度：12ns/20ns/25ns
- 总线宽度: x8/x16
- 温度等级：工业级-40~85℃/工业级-40~105℃
- 符合ONFI1.0标准
- 1.8V：
- 供电电压: 1.7V~1.95V
- 容量: 1Gb/2Gb/4Gb/8Gb
- 页大小：2K+64 Byte / 2K+128 Byte
- 页读取时间：25us
- I/O传输速度：20ns/25ns/45ns
- 总线宽度: x8/x16
- 温度等级：工业级-40~85℃/工业级-40~105℃
- 符合ONFI1.0标准
- 3.3V：
应用领域
- TWS耳机充电盒
- 耳机
- 助听器
- 便携式医疗设备
- 护理监测仪
- 低电池电量应用
- 三相BLDC和PMSM电机
- 电动工具
- 机器人
- 遥控玩具
- 工业自动化
- 无线基础设施通信/网卡
- 安防设备
- 笔记本电脑
- 扫地机
- TWS耳机及充电盒
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