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S29GL512T12TFN020

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品牌名称: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
商品型号: S29GL512T12TFN020
商品编号: C2959122
商品封装: TFSOP-56
包装方式: 托盘
商品毛重: 3.51克(g)

商品参数

	属性	参数值
	擦写寿命	100000次
	页写入时间(Tpp)	60ns
	数据保留 - TDR(年)	20年
	工作温度	-40℃~+125℃
	功能特性	硬件写保护；绝对写保护；写使能锁存；ECC纠错；软件写保护；上电复位

商品概述

S29GL01GT/512T是采用45纳米制程技术制造的MIRRORBIT™闪存产品。这些器件提供最快达15纳秒的快速页访问时间，相应的随机访问时间最快达100纳秒。它们具有一个写缓冲区，允许在一次操作中最多编程256字/512字节，从而比标准编程算法具有更快的有效编程时间。这使得这些器件非常适合当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。

商品特性

45纳米MIRRORBIT™技术
用于读/编程/擦除的单电源（VCC）（2.7伏至3.6伏）
多功能I/O特性
宽I/O电压范围（VIO）：1.65伏至VCC
×8/×16数据总线
异步32字节页读取
512字节编程缓冲区
以页倍数进行编程，最多可达512字节
单字和对同一字的多次编程选项
自动错误检查和纠正（ECC）——具有单比特错误纠正功能的内部硬件ECC
扇区擦除
统一的128千字节扇区
编程和擦除操作的暂停和恢复命令
状态寄存器、数据轮询和就绪/忙引脚方法来确定器件状态
高级扇区保护（ASP）
每个扇区的易失性和非易失性保护方法
独立的2048字节一次性编程（OTP）阵列
四个可锁定区域（SSR0 - SSR3）
SSR0为工厂锁定
SSR3为密码读取保护
通用闪存接口（CFI）参数表
温度范围/等级
- 工业级（-40摄氏度至+85摄氏度）
- 增强工业级（-40摄氏度至+105摄氏度）
- 扩展级（-40摄氏度至+125摄氏度）
- 汽车级，AEC - Q100 3级（-40摄氏度至+85摄氏度）
- 汽车级，AEC - Q100 2级（-40摄氏度至+105摄氏度）
100,000次编程/擦除周期
20年数据保留
封装选项
- 56引脚TSOP
- 64球LAA加固BGA，13毫米×11毫米
- 64球LAE加固BGA，9毫米×9毫米
- 56球VBU加固BGA，9毫米×7毫米

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	Parallel
	存储容量	512Mbit
	时钟频率(fc)	5MHz
	工作电压	2.7V~3.6V
	待机电流	100uA