CY7C1041CV33-12BAXE
CY7C1041CV33-12BAXE
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- 商品型号
- CY7C1041CV33-12BAXE
- 商品编号
- C2956167
- 商品封装
- TFBGA-48
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 4Mbit | |
| 工作电压 | 2.97V~3.63V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 读写时间 | 12ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 工作电流 | 120mA | |
| 待机电流 | 15mA |
商品概述
CY7C1041CV33汽车级产品是一款高性能CMOS静态RAM，组织形式为262,144字×16位。要向该器件写入数据，需将芯片使能（CE）和写使能（WE）输入置为低电平。若字节低使能（BLE）为低电平，则来自I/O引脚（I/O₀至I/O₇）的数据将被写入地址引脚（A₀至A₁₇）指定的位置。若字节高使能（BHE）为低电平，则来自I/O引脚（I/O₈至I/O₁₅）的数据将被写入地址引脚（A₀至A₁₇）指定的位置。要从该器件读取数据，需将芯片使能（CE）和输出使能（OE）置为低电平，同时将写使能（WE）置为高电平。若字节低使能（BLE）为低电平，则地址引脚指定的存储位置的数据将出现在I/O₀至I/O₇上。若字节高使能（BHE）为低电平，则存储的数据将出现在I/O₈至I/O₁₅上。有关更多信息，请参阅第11页的真值表，以获取读写模式的完整描述。当器件未被选中（CE为高电平）、输出被禁用（OE为高电平）、BHE和BLE被禁用（BHE、BLE为高电平）或在写操作期间（CE为低电平且WE为低电平），输入和输出引脚（I/O₀至I/O₁₅）将处于高阻抗状态。
商品特性
- 温度范围：汽车A类：-40 °C至85 °C；汽车E类：-40 °C至125 °C
- 引脚和功能与CY7C1041BNV33兼容
- 高速：tAA = 10 ns（汽车A类）；tAA = 10 ns（汽车E类）
- 低有源功耗：432 mW（最大值）
- 未选中时自动掉电
- TTL兼容输入和输出
- 通过CE和OE功能轻松实现内存扩展
- 提供无铅和含铅的44引脚400密耳SOJ、44引脚TSOP II和48球FBGA封装