CY7C1423AV18-250BZXC

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品牌名称: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
商品型号: CY7C1423AV18-250BZXC
商品编号: C2955155
商品封装: FBGA-165(15x17)
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

CY7C1422AV18、CY7C1429AV18、CY7C1423AV18和CY7C1424AV18是1.8V同步流水线SRAM，配备双数据率独立IO架构。该架构由两个独立端口组成：读取端口和写入端口，用于访问存储器阵列。读取端口具有数据输出以支持读取操作，写入端口具有数据输入以支持写入操作。独立的数据输入和输出完全消除了常见IO设备所需的数据总线转向需求。通过公共地址总线访问每个端口。读取和写入的地址在输入时钟K的交替上升沿锁存。写入数据在K和K̅的上升沿注册。读取数据在C和C̅的上升沿驱动，如果未提供C/C̅，则在K和K̅的上升沿驱动。每个地址位置关联两个8位字、两个9位字、两个18位字或两个36位字，这些字顺序突发进出设备。异步输入包括输出阻抗匹配输入ZQ。同步数据输出与两个输出回波时钟CQ/CQ̅紧密匹配，消除了在系统设计中单独捕获每个SRAM数据的需求。输出数据时钟C/C̅实现了最大的系统时钟和数据同步灵活性。所有同步输入通过由K或K̅输入时钟控制的输入寄存器。所有数据输出通过由C或C̅控制的输出寄存器，或在单时钟域中由K或K̅控制。写入通过片上同步自定时写入电路进行。

商品特性

36兆位密度，包括4M x 8、4M x 9、2M x 18、1M x 36配置
300 MHz时钟，实现高带宽
2字突发，用于降低地址总线频率
双数据率接口，数据在600 MHz传输
两个输入时钟K和K̅，用于精确的DDR时序
仅使用上升沿操作
两个输出数据时钟C和C̅，用于最小化时钟偏斜和飞行时间不匹配
回波时钟CQ和CQ̅，简化高速系统中的数据捕获
同步内部自定时写入
1.8V核心电源，带有HSTL输入和输出
可变驱动HSTL输出缓冲器
扩展的HSTL输出电压范围，从1.4V至V_DD
提供165球FBGA封装，尺寸为15 x 17 x 1.4毫米
提供无铅和非无铅封装
JTAG 1149.1兼容测试访问端口
延迟锁定环，用于精确数据放置

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	36Mbit
	工作电压	1.7V~1.9V

	属性	参数值
	工作温度	0℃~+70℃
	工作电流	740mA
	待机电流	310mA
	功能特性	边界扫描(JTAG)功能；内置延迟锁定环