15N10
1个N沟道 耐压:100V 电流:15A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于多种应用。
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- 15N10
- 商品编号
- C359106
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.438克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 55W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 632pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 37pF |
商品特性
- 30V N沟道MOSFET高密集设计。
- 栅源电压VGS = 4.5 V时，漏源导通电阻RDS(ON) = 300 mΩ（典型值）
- 栅源电压VGS = 2.5 V时，漏源导通电阻RDS(ON) = 400 mΩ（典型值）
- 可靠耐用
- 具备ESD保护
应用领域
-便携式设备和电池供电系统
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