CY62137FV30LL-45ZSXIT

CY62137FV30是一款高性能CMOS静态随机存取存储器，组织形式为128K字×16位。该器件采用先进的电路设计，可提供超低工作电流，非常适合在诸如移动电话等便携式应用中延长电池续航时间。该器件还具有自动掉电功能，当地址不切换时，可显著降低功耗。当器件被取消选择（CE为高电平，或BLE和BHE均为高电平）时，将其置于待机模式可使功耗降低99%以上。当器件被取消选择（CE为高电平）、输出被禁用（OE为高电平）、字节高位使能和字节低位使能均被禁用（BHE、BLE为高电平），或在有效写入操作期间（CE为低电平且WE为低电平），输入和输出引脚（I/O₀至I/O₁₅）处于高阻态。通过将片选（CE）和写使能（WE）输入置为低电平来向器件写入数据。如果字节低位使能（BLE）为低电平，则来自I/O引脚（I/O₀至I/O₇）的数据将被写入地址引脚（A₀至A₁₆）指定的位置。如果字节高位使能（BHE）为低电平，则来自I/O引脚（I/O₈至I/O₁₅）的数据将被写入地址引脚（A₀至A₁₆）指定的位置。通过将片选（CE）和输出使能（OE）置为低电平，同时将写使能（WE）置为高电平来从器件读取数据。如果字节低位使能（BLE）为低电平，则地址引脚指定的存储位置的数据将出现在I/O₀至I/O₇上。如果字节高位使能（BHE）为低电平，则存储数据将出现在I/O₈至I/O₁₅上。有关读写模式的完整描述，请参阅第11页的真值表。

• 超高速：45 ns
• 温度范围：工业级 -40°C至 +85°C
• 宽电压范围：2.20 V - 3.60 V
• 引脚与CY62137CV/CV25/CV30/CV33、CY62137V和CY62137EV30兼容
• 超低待机功耗：典型待机电流1 μA，工业级最大待机电流5 μA
• 超低工作功耗：在f = 1 MHz（45 ns速度）时典型工作电流为1.6 mA
• 具备CE和OE功能，易于进行内存扩展
• 取消选择时自动掉电
• 采用互补金属氧化物半导体（CMOS）技术，实现最佳速度和功耗
• 具有字节掉电功能
• 提供无铅48球超精细间距球栅阵列（VFBGA）和44引脚薄型小外形封装（TSOP）II封装