CY7C1020CV26-15ZSXET

CY7C1020CV26 是一款高性能 CMOS 静态 RAM，组织为 32,768 字 × 16 位。该器件具有自动断电功能，在取消选择时显著降低功耗。写入设备通过将芯片使能（CE）和写使能（WE）输入置为低电平来实现。如果字节低使能（BLE）为低电平，则来自 I/O 引脚（I/O1 至 I/O8）的数据被写入地址引脚（A0 至 A14）指定的位置。如果字节高使能（BHE）为低电平，则来自 I/O 引脚（I/O9 至 I/O16）的数据被写入地址引脚（A0 至 A14）指定的位置。从设备读取通过将芯片使能（CE）和输出使能（OE）置为低电平，同时强制写使能（WE）为高电平来实现。如果字节低使能（BLE）为低电平，则地址引脚指定的存储器位置的数据出现在 I/O1 至 I/O8 上。如果字节高使能（BHE）为低电平，则存储器数据出现在 I/O9 至 I/O16 上。当设备取消选择（CE 高电平）、输出禁用（OE 高电平）、BHE 和 BLE 禁用（BHE、BLE 高电平）或写入操作期间（CE 低电平，WE 低电平时），输入/输出引脚（I/O1 至 I/O16）置于高阻抗状态。CY7C1020CV26 采用标准 44 引脚 TSOP Type II 封装。

• 温度范围：汽车级：-40℃ 至 125℃
• 高速：tAA = 15 ns
• 优化电压范围：2.5 V 至 2.7 V
• 取消选择时自动断电
• 独立控制高位和低位
• CMOS 实现速度和功耗
• 封装提供：44引脚 TSOP II