CY62148G18-55ZSXI
CY62148G18-55ZSXI
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- 商品型号
- CY62148G18-55ZSXI
- 商品编号
- C2950551
- 商品封装
- SOIC-32
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 存储容量 | 4Mbit | |
| 工作电压 | 1.65V~2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 自动掉电功能;内置ECC功能 |
商品概述
随着新工艺技术节点的发展,芯片性能和功耗显著改善,尺寸减小,但节点电容降低使设备更易受高能粒子导致的位故障影响,即软错误。软错误不仅会损坏数据,还可能导致功能丧失和系统关键故障,在工业控制器、医疗设备、汽车电子和消费电子等领域尤其容易受到影响。英飞凌带片上纠错码(ECC)的异步SRAM比基于软件或冗余的ECC方案提供了更快、更简单且更具成本效益的解决方案,是行业内可靠性最高的芯片,适用于各种应用。该芯片使用(38,32)汉明码进行单比特错误检测和纠正,通过位交织方案防止多位错误,显著提高了软错误率(SER)性能,实现了低于0.1 FIT/Mbit的FIT率。此外,带有Power Snooze功能的快速SRAM消除了异步SRAM应用中性能和功耗之间的权衡。
商品特性
- 嵌入式ECC可检测和纠正所有单比特错误
- 位交织以避免多位翻转
- 可选ERR引脚以指示单比特错误的发生
- 的访问时间:10 ns(快速)
应用领域
- 工业控制器
- 医疗设备
- 汽车电子
- 消费电子
- 网络系统
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