CY7C1061G30-10ZXE

CY7C1061G是一款高性能CMOS快速静态RAM汽车部件，带有嵌入式ECC。ECC逻辑可以在读取周期中检测并纠正读取数据字中的单比特错误。该器件有单芯片使能输入，通过将芯片使能输入（CE）置为低电平来访问。要进行数据写入，将写使能（WE）输入置为低电平，并分别在器件数据引脚（I/O₀到I/O₁₅）和地址引脚（A₀到A₁₉）上提供数据和地址。高字节使能（BHE）和低字节使能（BLE）输入控制字节写入，并将数据写入到指定的存储位置对应的I/O线上。BHE控制I/O₈到I/O₁₅，BLE控制I/O₀到I/O₇。要进行数据读取，使能输出使能（OE）输入，并在地址线上提供所需的地址。读取的数据可在I/O线（I/O₀到I/O₁₅）上获取。可以通过使能所需的字节使能信号（BHE或BLE）来进行字节访问，从指定的地址位置读取数据的高字节或低字节。当器件被取消选择（CE为高电平）或控制信号被取消使能（OE、BLE、BHE）时，所有I/O（I/O₀到I/O₁₅）都处于高阻抗状态。CY7C1061G汽车器件有48球VFBGA和48引脚TSOP I封装。

• 高速：访问时间tAA = 10 ns
• 温度范围：汽车级E：-40 °C至125 °C
• 嵌入式纠错码（ECC），用于单比特错误纠正
• 低工作电流和待机电流：典型值Icc = 90 mA（100 MHz时），典型值ISB2 = 20 mA
• 工作电压范围：2.2 V至3.6 V
• 1.0 V数据保持
• 晶体管 - 晶体管逻辑（TTL）兼容输入和输出
• 提供无铅48球VFBGA和48引脚TSOP I封装