CY7C1263KV18-400BZXI

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品牌名称: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
商品型号: CY7C1263KV18-400BZXI
商品编号: C2950107
商品封装: FBGA-165(13x15)
包装方式: 托盘
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	工作温度	-40℃~+85℃
	工作电流	660mA
	待机电流	310mA
	功能特性	自动掉电功能；边界扫描(JTAG)功能；内置延迟锁定环

商品概述

CY7C1263KV18和CY7C1265KV18是同步流水线突发SRAM，配备读端口和写端口。读端口专用于读操作，写端口专用于写操作。数据通过写端口流入SRAM，通过读端口流出。这些器件对地址输入进行复用，以减少所需的地址引脚数量。通过设置独立的读端口和写端口，QDR II+完全消除了数据总线“转向”的需求，并避免了任何可能的数据冲突，从而简化了系统设计。对于CY7C1263KV18，每次访问包括两个时钟周期内的四次18位数据传输；对于CY7C1265KV18，则是四次36位数据传输。当DOFF引脚接高电平时，这些器件的读延迟为两个半周期。当DOFF引脚置低或连接到VSS时，器件以QDR I模式工作，读延迟为一个时钟周期。两个端口的访问均在正输入时钟（K）上启动。所有同步输入和输出时序均参考输入时钟（K和K非）的上升沿。所有同步数据输入（Dx:0）通过由输入时钟（K和K非）控制的输入寄存器。所有同步数据输出（Qx:0）也通过由输入时钟（K和K非）上升沿控制的输出寄存器。

商品特性

独立的读写数据端口
支持并发事务处理
550 MHz时钟频率，提供高带宽
四字突发传输，降低地址总线频率
读写端口均采用双倍数据速率接口，在550 MHz时钟下数据以1100 MHz传输
提供2.5个时钟周期的读取延迟
两个输入时钟用于精确的双倍数据速率时序控制
静态随机存取存储器仅使用上升沿
回波时钟简化了高速系统中的数据捕获
数据有效引脚用于指示输出数据有效
单一复用地址输入总线为读写端口锁存地址
独立的端口选择用于深度扩展
同步内部自定时写入操作
当DOFF引脚置为高电平时，以2.5个周期读取延迟运行
当DOFF引脚置为低电平时，以单周期读取延迟运行
提供×18和×36位宽配置
完全的数据一致性，提供最新数据
核心电压VDD = 1.8 V ± 0.1 V；输入/输出电压VDDQ = 1.4 V 至 VDD
支持1.5 V和1.8 V输入/输出供电
采用高速收发器逻辑电平输入和可变驱动的高速收发器逻辑电平输出缓冲器
提供165引脚细间距球栅阵列封装
提供无铅和非无铅封装选项
兼容JTAG 1149.1标准的测试访问端口
采用锁相环实现精确的数据放置

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	36Mbit
	工作电压	1.7V~1.9V