S25FL064LABNFA010
64 Mb (8 MB) FL-L闪存
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- 描述
- FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口(SPI)连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出(单I/O或SIO),以及可选的双比特(双I/O或DIO)和四比特宽Quad I/O(QIO)和Quad外设接口(QPI)命令。此外,还有用于QIO和QPI的双数据速率(DDR)读取命令,可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区,允许在一个操作中编程多达256字节,并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下,并使用Quad命令,指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存,同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度,并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码(xIP)和存储可编程数据。
- 商品型号
- S25FL064LABNFA010
- 商品编号
- C2948885
- 商品封装
- WFDFN-8-EP
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 13.96克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 64Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 108MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 20uA | |
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 |
商品概述
FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口(SPI)连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出(单I/O或SIO),以及可选的双比特(双I/O或DIO)和四比特宽Quad I/O(QIO)和Quad外设接口(QPI)命令。此外,还有用于QIO和QPI的双数据速率(DDR)读取命令,可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。
该架构具有页面编程缓冲区,允许在一个操作中编程多达256字节,并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下,并使用Quad命令,指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存,同时大幅减少信号数量。
FL-L系列产品提供高密度,并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码(xIP)和存储可编程数据。
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