CY7C1643KV18-450BZI

具有突发架构和双数据速率接口的同步流水线SRAM，支持并发事务和深度扩展，具备JTAG兼容测试访问端口和锁相环

品牌名称: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
商品型号: CY7C1643KV18-450BZI
商品编号: C2944762
商品封装: LBGA-165
包装方式: 托盘
商品毛重: 8.35克(g)

商品参数

商品概述

该器件是1.8V同步流水线SRAM，配备QDR II+架构。该架构包含两个独立端口：用于访问存储器阵列的读取端口和写入端口。读取端口具有专用数据输出以支持读取操作，写入端口具有专用数据输入以支持写入操作。QDR II+架构具有独立的数据输入和输出，完全无需在公共输入/输出器件上存在的数据总线“转向”。每个端口均通过公共地址总线进行访问。读取和写入地址在输入时钟的交替上升沿锁存。对QDR II+读取和写入端口的访问彼此完全独立。为了最大化数据吞吐量，读取和写入端口均配备DDR接口。每个地址位置关联四个18位字或36位字，这些字顺序突发进入或离开器件。由于数据在输入时钟的每个上升沿传入和传出器件，因此在通过消除总线“转向”来简化系统设计的同时，存储器带宽得以最大化。深度扩展通过端口选择实现，这使得每个端口能够独立运行。所有同步输入均通过由输入时钟控制的输入寄存器。所有数据输出均通过由输入时钟控制的输出寄存器。写入操作由片内同步自定时写入电路执行。

商品特性

独立的读取和写入数据端口
支持并发事务
450MHz时钟，提供高带宽
四字突发，用于降低地址总线频率
读取和写入端口上的双倍数据率接口
提供2.0时钟周期延迟
两个输入时钟，用于精确的DDR时序
回波时钟，简化高速系统中的数据捕获
数据有效引脚，用于指示输出上的有效数据
单一复用地址输入总线，锁存读取和写入端口的地址输入
用于深度扩展的独立端口选择
同步内部自定时写入
提供×18和×36配置
完全数据一致性，提供最新数据
内核VDD = 1.8V ± 0.1V；输入/输出VDDQ = 1.4V 至 VDD
支持1.5V和1.8V输入/输出电源
高速收发器逻辑输入和可变驱动高速收发器逻辑输出缓冲器
提供165球细间距球栅阵列封装
提供无铅和非无铅封装
兼容JTAG 1149.1的测试访问端口
锁相环，用于精确的数据放置

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	144Mbit
	工作电压	1.7V~1.9V

	属性	参数值
	工作温度	-40℃~+85℃
	工作电流	940mA
	待机电流	460mA
	功能特性	自动掉电功能；边界扫描(JTAG)功能