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AO4406A
1个N沟道 耐压:30V 电流:12A
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- 描述
- 特性：使用先进沟槽技术，提供出色的RDS(ON)。 低栅极电荷。 栅极电压低至4.5V时可工作。 VDS = 30V。 ID = 12A。 RDS(ON) < 13mΩ（VGS = 10V）。应用：电池保护。 其他开关应用
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- AO4406A
- 商品编号
- C2944312
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 4.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 960pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 87pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 139pF |
商品特性
- 静电放电保护
应用领域
- 笔记本电脑
- 负载开关
- 网络设备
- 手持仪器
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