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2SK3018
1个N沟道 耐压:30V 电流:0.1A
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- 描述
- 特性：低导通电阻。快速开关速度。低电压驱动，适用于便携式设备。易于设计驱动电路。易于并联
- 品牌名称
- KUU
- 商品型号
- 2SK3018
- 商品编号
- C2944164
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.097克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13Ω@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@100uA | |
| 输入电容(Ciss) | 13pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 9pF |
商品概述
- 沟槽功率中压MOSFET技术-电压控制小信号开关-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出泄漏电流
商品特性
- 漏源极电压（VDS）：60V
- 漏极电流（ID）：300mA
- 导通电阻RDS(ON)（VGS = 10V时）< 2.5欧姆
- 导通电阻RDS(ON)（VGS = 4.5V时）< 3.0欧姆
- 静电放电（ESD）防护能力高达2.0KV（人体模型HBM）
应用领域
- 电池供电系统-固态继电器-直接逻辑电平接口:TTL/CMOS
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