商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 运算放大器 | |
| 放大器数 | - | |
| 最大电源宽度(Vdd-Vss) | - | |
| 轨到轨 | - | |
| 增益带宽积(GBW) | - | |
| 输入失调电压(Vos) | - | |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | - | |
| 压摆率(SR) | - | |
| 输入偏置电流(Ib) | - | |
| 输入失调电流(Ios) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电压噪声密度(eN) | - | |
| 共模抑制比(CMRR) | - | |
| 输入失调电流温漂(Ios TC) | - | |
| 静态电流(Iq) | - | |
| 输出电流 | - | |
| 工作温度 | - | |
| 单电源电压 | - | |
| 双电源电压(Vee~Vcc) | - | |
| 功能特性 | 去补偿稳定 |
商品概述
PA85是一款高压、高功率带宽的MOSFET运算放大器，设计用于输出电流高达200mA。采用双电源时，输出电压摆幅可达±215V；采用单电源时，输出电压摆幅可达+440V。其安全工作区无二次击穿限制，通过选择合适的限流电阻，可在所有类型的负载下观察。通过级联输入电路配置实现高精度。所有内部偏置均参考一个自举齐纳MOSFET电流源。因此，PA85具有前所未有的电源电压范围和出色的电源抑制能力。MOSFET输出级为线性工作而偏置开启。外部补偿为用户提供了灵活性。该混合电路采用厚膜电阻、陶瓷电容器和硅半导体芯片，以最大化可靠性、最小化尺寸并提供最佳性能。超声键合铝线在所有工作温度下提供可靠的互连。8引脚TO-3金属封装为气密密封且电气隔离。使用可压缩隔离垫圈将使保修失效。
商品特性
- 高压 — 450V (±225V)
- 高压摆率 — 1000V/μs
- 高输出电流 — 200mA
- 500kHz 功率带宽
应用领域
- 压电换能器激励
- 静电换能器与偏转