- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
2SK1058-E
硅N沟道MOS FET，适用于低频功率放大器，具有良好频率特性、高速开关和宽安全工作区等特点
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- 描述
- Silicon N Channel MOSFET
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SK1058-E
- 商品编号
- C354833
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- -
- 商品毛重
- 5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 160V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.45V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 350pF |
应用领域
- 标准级:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高品质级:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命支持的医疗设备。