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TK4A60DB(S4PHI,X,S
N沟道 耐压:600V 电流:3.7A
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.6Ω（典型值）。 高正向传输导纳：|Yfs| = 2.2S（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）（VDS = 600V）。 增强模式：Vth = 2.4±0.4V（VDS = 10V，ID = 1mA）
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK4A60DB(S4PHI,X,S
- 商品编号
- C2937217
- 商品封装
- ITO-220S-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.64克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 540pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品特性
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON) ≤ 50 mΩ
- 在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) ≤ 80 mΩ
- 具备ESD保护。
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。
- 出色的导通电阻和最大直流电流承载能力。
- 产品材料符合RoHS要求且无卤。
- S前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- 便携式设备
- 负载开关