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DMN2991UDA-7B
2个N沟道 耐压:20V 电流:450mA
- 描述
- 这款MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2991UDA-7B
- 商品编号
- C2937136
- 商品封装
- X2-DFN0806-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 450mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 630mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 310mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 780mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 350pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 21.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4.9pF |
商品概述
NCE60P25采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件非常适合高电流负载应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -60V，漏极电流（ID） = -25A
- 栅源电压（VGS） = -10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 45 mΩ
- 高密度单元设计实现超低Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高雪崩能量（EAS），稳定性和一致性良好
- 散热性能优异的封装
应用领域
- 全桥转换器的高端开关
- 液晶显示器的DC/DC转换器