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CY14B101NA-ZS45XIT
1 Mbit nvSRAM
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- 描述
- CY14B101NA 是一款快速静态RAM (SRAM)，每个存储单元都包含一个非易失性元素。该存储器组织为128K字节的8-Bit或64K字的16-Bit。非易失性元素采用QuantumTrap技术，提供20年的数据保留时间。支持无限次读写和RECALL操作，最多支持1百万次STORE操作。
- 商品型号
- CY14B101NA-ZS45XIT
- 商品编号
- C2932413
- 商品封装
- TSOP-44
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | nvSRAM(掉电保持) | |
| 接口类型 | - | |
| 存储容量 | 1Mbit | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 工作电流 | 52mA | |
| 待机电流 | 5mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 读写时间 | - | |
| 循环次数 | 1000000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 自动存储功能；存储完成标志；低电压自动写保护 |
- CY8C6245AZI-S3D42
- S25FS256SAGMFI001
- CHMV-3R9L474R-TW
- CHMV-3R9L105R-TW
- CHMV-3R9L155R-TW
- CHMV-3R9L255R-TW
- CHMV-3R9L305R-TW
- CHMV-3R9L355R-TW
- CBW5R5104CF-ZJ
- CBW5R5224CF-ZJ
- CBW5R5334CF-ZJ
- CXHP2R7136R-TW
- CL05A475KQ5NRNC
- CL21A105KACLNNC
- CL21A106KBYQNNE
- CL32A476KOJNNNE
- CL32B476KPJNNNE
- CL32B476KPJNNWE
- BL1117C-33CM
- BL8531CB3TR30
- BL8531CC3TR60