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LM2101DSGR

0.5-A、0.8-A半桥驱动器，带8-V欠压锁定

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品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: LM2101DSGR
商品编号: C31003035
商品封装: WSON-8(2x2)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.036145克(g)

商品参数

商品概述

LM2101是一款紧凑的高压栅极驱动器，设计用于驱动同步降压或半桥配置中的高侧和低侧N沟道MOSFET。SH引脚支持-1 V直流和-19.5 V瞬态负电压处理能力，可提高高噪声应用中的系统鲁棒性。小型热增强型8引脚WSON封装允许驱动器放置在更靠近电机相位的位置，优化PCB布局。LM2101还提供符合行业标准引脚输出的8引脚SOIC封装。在低侧和高侧电源轨均提供欠压锁定(UVLO)，用于上电和断电过程中的保护。

商品特性

驱动半桥配置中的两个N沟道MOSFET
GVDD端典型欠压锁定值为8 V
BST端最大电压为107 V
SH端可承受-19.5 V最大负瞬态电压
峰值源电流/灌电流为0.5 A/0.8 A
典型传播延迟为115 ns

应用领域

无刷直流(BLDC)电机
永磁同步电机(PMSM)
无线吸尘器
无绳园艺和电动工具
电动自行车和电动滑板车
电池测试设备
离线式不间断电源(UPS)
通用MOSFET或IGBT驱动器

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	800mA
	拉电流(IOH)	500mA
	工作电压	9V~18V
	上升时间(tr)	28ns

	属性	参数值
	下降时间(tf)	18ns
	传播延迟 tpLH	115ns
	传播延迟 tpHL	115ns
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	2V
	输入低电平(VIL)	1.3V
	静态电流(Iq)	430uA
	功能特性	使能关断