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DP3415
1个P沟道 耐压:20V 电流:5A
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- 描述
- P沟道增强型场效应晶体管。
- 品牌名称
- Doeshare(德芯)
- 商品型号
- DP3415
- 商品编号
- C2931753
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 940pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 116pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
P沟道增强型场效应晶体管
商品特性
- 漏源电压(V)=-20 V
- 漏极电流=-5 A(栅源电压=-4.5 V)
- 导通电阻<42 mΩ(栅源电压=-4.5 V)
- 导通电阻<60 mΩ(栅源电压=-2.5 V)
- 导通电阻<120 mΩ(栅源电压=-1.8 V)
- 静电放电保护高达2.0 KV(人体模型)
- 沟槽功率低压MOSFET技术
- 用于低导通电阻的高密度单元设计
- 高速开关
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理