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DN3400
N沟道增强型MOSFET N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- N- 沟道增强型场效应晶体管
- 品牌名称
- Doeshare(德芯)
- 商品型号
- DN3400
- 商品编号
- C2931751
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
NCE30P30G采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通状态漏源电阻。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 负载/电源开关
- 接口开关
应用领域
-PWM应用-负载开关-不间断电源