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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DN2302S

N沟道,电流:3.2A,耐压:20V

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品牌名称
Doeshare(德芯)
商品型号
DN2302S
商品编号
C2931750
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.032克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)3.2A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)80mΩ@2.5V,1A
功率(Pd)1W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)4nC@5V
输入电容(Ciss@Vds)160pF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)25pF@10V
工作温度-50℃~+150℃

商品概述

-20V/-0.6A P沟道小信号MOSFET

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = 20 V
  • 漏极电流(ID) = 3.2 A
  • 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = 4.5 V时) < 60 mΩ
  • 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = 2.5 V时) < 80 mΩ
  • 沟槽功率MOSFET技术
  • 高功率和电流处理能力
  • 用于降低导通电阻RDS(ON)的高密度单元设计

应用领域

  • 直流-直流转换器
  • LED驱动器
  • 开关电路

数据手册PDF