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DN2302
耐压:20V 电流:4.5A
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- 描述
- 特性：VDS = 20V。 ID = 4.5A。 RDS(ON)（at VGS = 4.5V）< 35mΩ。 RDS(ON)（at VGS = 2.5V）< 45mΩ。 Trench Power MOSFET技术。 高功率和电流处理能力。应用：DC-DC转换器。 LED驱动器
- 品牌名称
- Doeshare(德芯)
- 商品型号
- DN2302
- 商品编号
- C2931749
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 280pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ |
商品概述
N沟道MOSFET
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 20 V
- 漏极电流(ID) = 4.5 A
- 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = 4.5 V时) < 35 mΩ
- 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = 2.5 V时) < 45 mΩ
- 沟槽功率MOSFET技术
- 高功率和电流处理能力
- 用于降低导通电阻RDS(ON)的高密度单元设计
应用领域
-直流-直流转换器-LED驱动器-开关电路