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DP2301S
P沟道,电流:-2.3A,耐压:-20V
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- 品牌名称
- Doeshare(德芯)
- 商品型号
- DP2301S
- 商品编号
- C2931748
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 210mΩ@2.5V,1A | |
| 功率 | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 400mV@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 5.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 177pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 25pF@10V | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ |
商品概述
P沟道增强型场效应晶体管
商品特性
- VDS（V）= -30 V
- ID = -4.1 A
- RDS（ON）< 60 mΩ（VGS = -10 V）
- RDS（ON）< 90 mΩ（VGS = -4.5 V）
- 沟槽式低压功率MOSFET技术
- 用于降低RDS（ON）的高密度单元设计
- 高速开关
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理