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DP2301
P沟道,电流:-3.1A,耐压:-20V
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- 品牌名称
- Doeshare(德芯)
- 商品型号
- DP2301
- 商品编号
- C2931747
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 100Ω@3.3V,2A | |
| 功率 | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 400mV@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 6.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 330pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 45pF@10V | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ |
商品概述
KIA50N06C 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET 场效应晶体管，采用 KIA 的 LVMosfet 技术制造。改进的工艺和单元结构经过特别设计，可将导通电阻降至最低，并提供出色的开关性能。该器件广泛应用于 UPS、逆变器系统的电源管理。
商品特性
- 50A、60V，RDS(on) 典型值 = 11mΩ（典型值）@VGS = 10V
- 低栅极电荷
- 低 Crss
- 快速开关
- 改善的 dv/dt 能力
应用领域
- UPS
- 逆变器系统的电源管理