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2N7002K
1个N沟道 耐压:60V 电流:340mA
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- 描述
- N沟道MOSFET。
- 品牌名称
- Doeshare(德芯)
- 商品型号
- 2N7002K
- 商品编号
- C2931745
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 340mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.3Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 40pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
商品概述
N沟道增强型场效应晶体管
商品特性
- 漏源电压（VDS）：20 V
- 漏极电流（ID）：2.0 A
- 漏源导通电阻RDS(ON)（栅源电压VGS = 4.5 V时）< 68 欧姆
- 漏源导通电阻RDS(ON)（栅源电压VGS = 2.5 V时）< 115 欧姆
- 沟槽功率低压MOSFET技术
- 高功率和电流处理能力
应用领域
- 脉宽调制（PWM）应用
- 负载开关