温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DP6B20KC
1个P沟道 耐压:20V 电流:0.6A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- -20V/-0.6A P沟道小信号MOSFET。
- 品牌名称
- Doeshare(德芯)
- 商品型号
- DP6B20KC
- 商品编号
- C2931708
- 商品封装
- SOT-883-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 600mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 480mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 39pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.2pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 6.4pF |
商品概述
N沟道增强型场效应晶体管
商品特性
- 漏源电压（VDS）：30V
- 漏极电流（ID）：100mA
- 导通电阻RDS(ON)（VGS = 4.5V时）< 8.0欧姆
- 导通电阻RDS(ON)（VGS = 2.5V时）< 13.0欧姆
- 静电放电（ESD）防护能力高达3.0KV（人体模型HBM）
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 逻辑电平转换