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DN2122KM
N沟道,电流:0.75A,耐压:20V
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- 品牌名称
- Doeshare(德芯)
- 商品型号
- DN2122KM
- 商品编号
- C2931703
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.012克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 750mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 110pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压(VDS):20 V
- 漏极电流(ID):0.75 A
- 漏源导通电阻RDS(ON)(VGS = 4.5 V时)< 250毫欧
- 漏源导通电阻RDS(ON)(VGS = 2.5 V时)< 350毫欧
- 静电放电(ESD)保护高达3.0 kV(人体模型HBM)
- 沟槽功率低压MOSFET技术
- 高功率和电流处理能力
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 逻辑电平转换