温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DN3541KM
N沟道增强型场效应管,电流:100mA,耐压:30V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- Doeshare(德芯)
- 商品型号
- DN3541KM
- 商品编号
- C2931702
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | |
| 功率 | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 1.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 18pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 7pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
P沟道增强型场效应晶体管
商品特性
- 漏源电压(VDS):30V
- 漏极电流(ID):100mA
- 导通电阻RDS(ON)(VGS = 4.5V时)< 8.0欧姆
- 导通电阻RDS(ON)(VGS = 2.5V时)< 13.0欧姆
- 静电放电(ESD)防护能力高达3.0KV(人体模型HBM)
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 逻辑电平转换