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DP2101W
P沟道增强型场效应管,电流:-2.0A,耐压:-20V
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- 品牌名称
- Doeshare(德芯)
- 商品型号
- DP2101W
- 商品编号
- C2931644
- 商品封装
- SOT-323-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 290pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
N沟道增强型场效应晶体管
商品特性
- 漏源电压(VDS):-20 V
- 漏极电流(ID):-2.0 A
- 漏源导通电阻(RDS(ON))(栅源电压VGS = -4.5 V时)< 120 mΩ
- 漏源导通电阻(RDS(ON))(栅源电压VGS = -2.5 V时)< 150 Ω
- 沟槽式低压功率MOSFET技术
- 低漏源导通电阻(RDS(ON))
- 低栅极电荷
应用领域
- 视频监视器
- 电源管理