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DP3139KT
P沟道增强型场效应管,电流:-0.66A,耐压:-20V
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- 描述
- PMOS -20V -660mA RDS(on)=480mΩ WITH ESD SOT-523
- 品牌名称
- Doeshare(德芯)
- 商品型号
- DP3139KT
- 商品编号
- C2931641
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 660mA | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 670mΩ@2.5V,400mA | |
| 功率 | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | - | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 152pF | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压(VDS):-20 V
- 漏极电流(ID):-0.66 A
- 漏源导通电阻(RDS(ON))(栅源电压(VGS) = -4.5 V时) < 480 mΩ
- 漏源导通电阻(RDS(ON))(栅源电压(VGS) = -2.5 V时) < 670 mΩ
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- 便携式设备
- 电池供电系统