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2N7002T
N沟道 MOSFET,电流:115mA,耐压:60V
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- 品牌名称
- Doeshare(德芯)
- 商品型号
- 2N7002T
- 商品编号
- C2931638
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 7.5Ω@5V,50mA | |
| 功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | - | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 50pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AOD464采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于高压同步整流、负载开关和通用应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 105V
- 漏极电流ID = 40A（栅源电压VGS = 10V）
- 导通电阻RDS(ON) < 28mΩ（VGS = 10V，电流20A时）
- 导通电阻RDS(ON) < 31mΩ（VGS = 6V）
- 100%经过非钳位感性负载（UIS）测试！
- 100%经过栅极电阻（Rg）测试！
应用领域
- 高压同步整流
- 负载开关
- 通用应用