S25FS064SAGMFI010
64Mbit SPI Multi-I/O, 1.8V
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- 描述
- 特性:读取命令:正常、快速、双输出、双I/O、四输出、四I/O、DDR四I/O模式;突发环绕、连续(XIP)、QPI(QPI)模式;串行闪存可发现参数(SFDP)和通用闪存接口(CFI),用于配置信息。编程:256或512字节页面编程缓冲区;编程暂停和恢复;自动ECC-内部硬件纠错码(ECC)生成,具有单比特纠错功能。擦除:混合扇区选项;地址空间顶部或底部有一组八个4 KB扇区和一个32 KB扇区,其余扇区为64 KB;统一扇区选项;统一64 KB或256 KB块,与更高密度和未来设备软件兼容;擦除暂停和恢复;擦除状态评估。循环耐久性:至少100,000次编程-擦除循环。数据保留:至少20年数据保留。安全特性:1024字节的一次性可编程(OTP)阵列;块保护:状态寄存器位控制对连续扇区范围的编程或擦除保护;硬件和软件控制选项;高级扇区保护(ASP):由引导代码或密码控制的单个扇区保护;读访问密码控制选项
- 商品型号
- S25FS064SAGMFI010
- 商品编号
- C2931553
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.9125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 64Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 133MHz | |
| 工作电压 | 1.7V~2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 待机电流 | 25uA | |
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 页写入时间(Tpp) | 2ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
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