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IMT40R015M2HXTMA1实物图
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IMT40R015M2HXTMA1

400V CoolSiC MG2 MOSFET

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描述
特性:适用于高频开关和同步整流。 换向稳健的快速体二极管,低Qfr。 低RDS(on)温度依赖性。 基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5 V。 推荐栅极驱动电压0 V至18 V。 .XT互连技术,实现一流的热性能。应用:开关电源。 太阳能光伏逆变器
商品型号
IMT40R015M2HXTMA1
商品编号
C30845525
商品封装
TOLL​
包装方式
编带
商品毛重
1.28克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
类型N沟道
漏源电压(Vdss)400V
连续漏极电流(Id)111A
耗散功率(Pd)341W
阈值电压(Vgs(th))5.6V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)62nC
输入电容(Ciss)2.1nF
反向传输电容(Crss)24pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)300pF
导通电阻(RDS(on))19.1mΩ

商品特性

  • 适用于高频开关和同步整流
  • 具有低 Qfr 的换向鲁棒快速体二极管
  • RDS(on) 对温度的依赖性低
  • 基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5 V
  • 推荐栅极驱动电压为 0 V 至 18 V
  • 采用 .XT 互连技术,实现一流的散热性能
  • 100% 经过雪崩测试

应用领域

  • SMPS
  • 太阳能光伏逆变器
  • 储能、UPS 和电池化成
  • D 类音频
  • 电机驱动

数据手册PDF