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D2516ECMDXGJD-U
4G bits DDR3L SDRAM，采用双数据速率架构和8位预取流水线架构，支持高速数据传输，具备双向差分数据选通、差分时钟输入等功能
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- 描述
- IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
- 品牌名称
- Kingston(金士顿)
- 商品型号
- D2516ECMDXGJD-U
- 商品编号
- C2927180
- 商品封装
- FBGA-96(7.5x13.5)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1.423477克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR3L SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 933MHz | |
| 存储容量 | 4Gbit | |
| 工作电压 | 1.283V~1.45V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | 57mA | |
| 刷新电流 | 16mA | |
| 工作温度 | 0℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 自动自刷新；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能 |
商品概述
该DDR3L SDRAM具有4G比特的存储密度，组织形式为32M字×16位×8个存储体，采用96球FBGA封装，无铅（符合RoHS标准）且无卤素。电源电压为1.35V（典型值），VDD和VDDQ范围在1.283V至1.45V，支持VDD、VDDQ为1.5V±0.075V的向后兼容。数据速率有2133Mbps/1866Mbps/1600Mbps/1333Mbps（最大），页大小为2KB，有行地址A0至A14、列地址A0至A9，8个内部存储体可并发操作。具有多种突发长度和类型，可编程/CAS读写延迟，支持自动预充电，驱动强度为RZQ/7、RZQ/6（RZQ = 240Ω），支持自动刷新和自刷新，有不同温度范围下的刷新周期。工作外壳温度范围为0°C至+95°C（商业温度）、 - 40°C至+95°C（工业温度）。
商品特性
- 双倍数据速率架构：每个时钟周期进行两次数据传输
- 通过8位预取流水线架构实现高速数据传输
- 双向差分数据选通（DQS和/DQS）与数据一起发送/接收，用于在接收器处捕获数据
- DQS在读取时与数据边缘对齐，在写入时与数据中心对齐
- 差分时钟输入（CK和/CK），DLL使DQ和DQS转换与CK转换对齐
- 在每个正CK边缘输入命令；数据和数据掩码参考DQS的两个边缘
- 用于写入数据的数据掩码（DM）
- 通过可编程附加延迟发布/CAS，以提高命令和数据总线效率
- 片上终端（ODT）以提高信号质量，包括同步ODT、动态ODT和异步ODT
- 多用途寄存器（MPR）用于预定义模式读出
- DQ驱动和ODT的ZQ校准
- 自动自刷新（ASR）
- /RESET引脚用于上电序列和复位功能
- SRT范围：正常/扩展
- 可编程输出驱动阻抗控制